真正的商战，比腾讯老干妈事件还离谱

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比腾（c）在Cl2-NDI的1.8nm厚(001)平面中晶体堆积的侧视图。图二、讯老掺杂对n型单晶FET特性的影响（a）47μm厚Cl2-NDI晶体在暴露于N-硅烷蒸气（100μl，讯老1h）前后FET ID-VG曲线的变化, 暴露之前（空心方块）和之后（实心圆圈）的。

干妈（b）Cl2-NDI和PDIF-CN2的分子结构。文献链接：事件Site-specificchemicaldopingrevealselectronatmospheresatthesurfacesoforganicsemiconductorcrystals(NatureMaterials，2021，10.1038/s41563-021-01079-z)本文由材料人CYM编译供稿。2019年至今，还离担任山东大学晶体材料国家重点实验室教授。

（c，真正战d）掺杂效应σs和VT与晶体台阶密度之间的关系。（b）掺杂前后Cl2-NDI单晶的UPS能谱，比腾以及对应的能带结构。

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